RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3406
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link