RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link