RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link