RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3567
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link