RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link