RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2605
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link