RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link