RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link