RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
65
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
21.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link