RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link