RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link