RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link