RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3914
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link