RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
24.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
24.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
19.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link