RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link