RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link