RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
71
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Mushkin 994083 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link