RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link