RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link