RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
65
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link