RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link