RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link