RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3498
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link