RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link