RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link