RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
95
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
95
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1450
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link