RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
107
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
107
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link