RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 9905713-008.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1970
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link