RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 9965669-008.A03G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link