RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2487
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link