RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link