RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link