RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston K821PJ-MID 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston K821PJ-MID 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
65
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K821PJ-MID 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link