RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3637
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link