RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link