RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link