RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link