RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link