RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2346
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link