RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 65
    Около -86% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2841

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
модули RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
модули RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
модули RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
модули RAM