RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link