RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link