RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
65
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1965
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link