RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
65
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1965
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link