RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3961
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link