RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link