RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 65
    Около -110% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.6 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2330

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
модули RAM
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
модули RAM