RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2761
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link