RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link