RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4095
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link