RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link