RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB против Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
48
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,819.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,392.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,819.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3119
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link