RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link