RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link